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創発物性科学研究センター強相関界面研究グループ

グループディレクター川﨑雅司（D.Eng.）

English Page

研究概要

電子の電荷・スピン・軌道の自由度を様々に変化させた界面構造を設計し、量子物質の完全エピタキシー技術を駆使して接合デバイスや人工格子を創製しています。電場・磁場・光などの外場に対する応答を調べ、共役関係にない非自明な応答の詳細を調べるとともに、その巨大化に取り組みます。特に、量子伝導や界面磁性・界面抵抗の制御などを通して、新しい原理に基づくスイッチングデバイスやメモリー、太陽電池、センサーなどの雛形デバイスを開発し、強相関量子エレクトロニクスの基礎を構築します。

研究主分野

総合理工

研究関連分野

数物系科学

キーワード

酸化物エレクトロニクス
トポロジカルエレクトロニクス
界面工学
量子輸送現象
界面と超格子

主要論文

1. M. Nakamura, Y.H. Chan, T. Yasunami, Y.S. Huang, G.Y. Guo, Y. Hu, N. Ogawa, Y.L. Chiew, X.Z. Yu, T. Morimoto, N. Nagaosa, Y. Tokura, and M. Kawasaki.:
"Strongly enhanced shift current at exciton resonances in a noncentrosymmetric widegap semiconductor"
Nat. Commun. 15, 9672 (2024).
2. M. Ohno, T. C. Fujita, and M. Kawasaki.:
"Proximity effect of emergent field from spin ice in an oxide heterostructure"
Sci. Adv. 10, eadk6308 (2024).
3. L. Zhang, T. C. Fujita, Y. Masutake, M. Kawamura, T. Arima, H. Kumigashira, M. Tokunaga, and M. Kawasaki.:
"Peculiar magnetotransport properties in epitaxially stabilized orthorhombic Ru³⁺ perovskite LaRuO₃ and NdRuO₃"
Commun. Mater. 5, 35 (2024).
4. T. C. Fujita, K. Omura, M. Kawasaki.:
"Topological Hall eﬀect in a non-magnetic metal interfaced to a canted antiferromagnetic insulator in perovskite oxide heterostructures"
Appl. Phys. Lett. 125, 011602 (2024).
5. K. S. Takahashi, J. Iguchi, Y. Tokura, and M. Kawasaki.:
"Metal-insulator transitions in strained single quantum wells of Sr_1-xLa_xVO₃"
Phys. Rev. B 109, 035158 (2024).
6. D. Maryenko, I. V. Maznichenko, S. Ostanin, M. Kawamura, K. S. Takahashi, M. Nakamura, V. K. Dugaev, E. Ya. Sherman, A. Ernst, and M. Kawasaki.:
"Superconductivity at epitaxial LaTiO₃-KTaO₃ interfaces"
APL Mater. 11, 061102 (2023).
7. M. Nakamura, R. Namba, T. Yasunami, N. Ogawa, Y. Tokura, and M. Kawasaki.:
"Crossover from strong to weak exciton confinement in thickness-controlled epitaxial PbI₂ thin films"
Appl. Phys. Lett. 122, 073101 (2023).
8. N. Takahara, K. S. Takahashi, Y. Tokura, and M. Kawasaki.:
"Evolution of ferromagnetism and electron correlation in Eu_1-xGd_xTiO₃ thin films with 4f⁷ configuration"
Phys. Rev B 108, 125138 (2023).
9. M. Nakamura, S. Inagaki, Y. Okamura, M. Ogino, Y. Takahashi, K. Adachi, D. Hashizume, Y. Tokura, and M. Kawasaki.:
"Band structures in orientation-controlled CuI thin films under epitaxial strain"
Phys. Rev B., 106, 125307 (2022).
10. M. Ohno, S. Minami, Y. Nakazawa, S. Sato, M. Kriener, R. Arita, M. Kawasaki, and M. Uchida.:
"Maximizing intrinsic anomalous Hall effect by controlling the Fermi level in simple Weyl semimetal films"
Phys. Rev B., 105, 125307 (2022).